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雙束聚焦離子束FIB
- 分類:測試服務
- 發布時間:2022-05-18 15:18:55
- 訪問量:0
概要:
詳情
一、項目介紹:
FIB主要通過創新的elstar電子槍與高電流UC +技術相結合,實現極高分辨率成像 最高的材料與卓越的Phoenix離子槍形成對比,即使在最具挑戰性的樣品上,也能實現最快,最簡單,最精確的高質量樣品制備和3D表征。勝科納米已投入使用全國首臺商業化服務Helios 5 UX FIB。Helios G5 UX是業界領先的第四代Helios DualBeam?系列的一部分。具有以下主要特點:
最快,最簡單的HR-TEM和APT樣品制備
極高分辨率成像,具有最精確的對比度
訪問最高分辨率,多尺度和多模態地下和3D信息
快速,準確,精確刻蝕和沉積復雜結構,臨界尺寸小于10 nm
二、設備技術參數

E-Beam電子束分辨率
2kV時0.6nm
1kV時為0.7nm
0.5kV時1.0nm
加速電壓350V-30keV
著陸電壓范圍20eV-30keV
電子束電流范圍0.8Pa-100nA
I-Beam離子束分辨率
30kV下4.0nm
30kV下2.5nm
電壓500V-30KV
束流0.1pA-65nA
三、應用領域
先進制程7nm TEM薄片制備:對于最新制程的FinFET工藝分析能力、平面TEM+截面TEM分析能力;
定點截面3D切片分析:納米級別定位分析能力、3維重構;
集成電路(IC)線路修改:高階制程芯片線路修改、測試Pad;
復雜的納米級圖形制作:離子束直接刻蝕、電子束直接沉積;
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